インテルとマイクロン、25nmプロセス技術採用3ビット/セルNAND型フラッシュメモリのサンプル出荷開始
インテル、米国の次世代製造施設へ60億ドル以上を投資へ 1枚目の写真・画像
米インテルは19日、60億ドル~80億ドルを製造施設に投資し、オレゴン州に新たな製造技術開発施設(ファブ)を建設し、既存の4拠点を次世代の22ナノメートル(nm)プロセス製造技術に移行するなどの計画を発表した。
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