インテルとマイクロン、25nmプロセス技術採用3ビット/セルNAND型フラッシュメモリのサンプル出荷開始 | RBB TODAY

インテルとマイクロン、25nmプロセス技術採用3ビット/セルNAND型フラッシュメモリのサンプル出荷開始

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25nmトリプルレベル・セルのダイ
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  • マイクロンは同社ディレクターによる技術解説動画を公開中
 米インテルとマイクロン テクノロジーは現地時間17日、業界で最大容量・最小のNAND製品となる、25nm(ナノメートル)プロセス技術を採用した3ビット/セルNAND型フラッシュメモリの出荷を発表した。

 両社のNANDフラッシュメモリ合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジーズ(IMFT)によって設計された64Gb(8Gバイトと同等)製品向け25nmプロセス技術による露光技術は、従来の1メモリ・セル当り1ビット(シングルレベル・セル)や2ビット(マルチレベル・セル)の情報ではなく、3ビットの情報を記憶する“トリプルレベル・セル”(TLC)を実現した。この新製品は、現在市場で最小の25nmプロセス技術を採用したインテルとマイクロンのシングルチップ8GB多値セル(MLC)製品と同じメモリ容量を集積しながら、20%以上の小型化を実現したという。ダイ・サイズは131平方ミリメートルで、業界標準のTSOP(薄型スモール・アウトライン・パッケージ)で提供される。
 
 25nmプロセス技術を採用した新しい64Gb(ギガ・ビット)の3ビット/セルNAND型フラッシュメモリは、USBメモリ、SDカードなどのストレージに投入される予定。両社は、一部の顧客を対象に製品のサンプル出荷を開始しており、2010年内の量産出荷を予定している。
《冨岡晶》

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