インテル、米国の次世代製造施設へ60億ドル以上を投資へ

エンタープライズ企業

2010年10月20日（水） 14時45分

注目記事

2009年9月に、業界初となる22nmプロセス技術で製造された半導体チップを集積したシリコンウエハーを公開

　米インテルは19日、60億ドル～80億ドルを製造施設に投資し、オレゴン州に新たな製造技術開発施設（ファブ）を建設し、既存の4拠点を次世代の22ナノメートル（nm）プロセス製造技術に移行するなどの計画を発表した。

　「D1X」と呼ばれるオレゴン州の新しい製造技術開発施設は、2013年に研究開発を開始する予定。またアリゾナ州（ファブ12、ファブ32）およびオレゴン州（D1C、D1D）の既存の4拠点が増強される。このプロジェクトは建設関連で6,000から8,000人の雇用、およびハイテク関連で800から1,000人の常時雇用を創出する計画となっている。新たな設備投資は、インテルが2009年2月に発表した米国での製造プロセス技術の展開に向けた最先端設備の投資計画に続くもので、インテル初の22nmプロセス技術に基づくマイクロプロセッサー「Ivy Bridge」（開発コード名）は、2011年後半に製造が開始される予定だ。

　インテルコーポレーション社長兼CEO（最高経営責任者）のポール・オッテリーニ氏は「本日の発表は、ムーアの法則に基づく継続的進展を目指すものであり、インテルおよび米国の将来に向けたさらなる投資を示すものです。数十億ドル規模の投資は、新たなファブの建設および4拠点の増強にともなう数千人規模の雇用、そして高賃金のハイテク製造に関わる雇用という直接的な結果を生み出します」とのコメントを寄せている。

《冨岡晶》