nm(ナノメートル)技術ニュース | RBB TODAY

nm(ナノメートル)技術に関するニュース一覧

インテル、第5世代Coreプロセッサー・ファミリーを発表……14nmプロセス技術を採用 画像
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インテル、第5世代Coreプロセッサー・ファミリーを発表……14nmプロセス技術を採用

 インテルは5日、14nm(ナノ・メートル)プロセス技術を採用した第5世代インテルCoreプロセッサー・ファミリーを発表した。

インテル、14nm製造プロセス採用「Core M」新製品群を数か月以内に提供開始 画像
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インテル、14nm製造プロセス採用「Core M」新製品群を数か月以内に提供開始

 米インテルは米国時間11日、最新のマイクロアーキテクチャーと14nm(ナノメートル)製造プロセス技術に関する詳細を公開した。

ルネサス、28nmマイコンに内蔵するフラッシュメモリ技術を世界初開発 画像
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ルネサス、28nmマイコンに内蔵するフラッシュメモリ技術を世界初開発

 ルネサス エレクトロニクスは2月18日、回路線幅に28nm(ナノメートル:10億分の1メートル)プロセスを採用した、マイコン内蔵用フラッシュメモリ技術を世界で初めて開発したことを発表した。

インテル、第3世代インテル Coreプロセッサー・ファミリーを発表……世界初の22nmプロセス 画像
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インテル、第3世代インテル Coreプロセッサー・ファミリーを発表……世界初の22nmプロセス

 インテルは24日、クアッドコア(4コア版)の第3世代インテル Coreプロセッサー・ファミリーを発表した。インテルの3次元トライゲート・トランジスター技術採用22nm(ナノメートル)プロセス技術を採用した世界初のプロセッサーとなる。

インテル、データセンターストレージ向けSSD「910シリーズ」発表……PCIeインターフェイス採用 画像
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インテル、データセンターストレージ向けSSD「910シリーズ」発表……PCIeインターフェイス採用

 インテルは13日、ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の新製品「インテルSSD 910シリーズ」を発表した。データセンター・ストレージとしての高い要求に対応できる処理性能、高耐久性、高信頼性が特長とのこと。

インテルとマイクロン、世界初の20nmプロセス技術に基づくフラッシュメモリの量産開始 画像
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インテルとマイクロン、世界初の20nmプロセス技術に基づくフラッシュメモリの量産開始

 米インテルとマイクロン テクノロジー社は現地時間6日、NAND型フラッシュテクノロジーで世界初となる、20ナノメートル(nm)プロセス技術に基づく128ギガビット(Gb)および64ギガビットのマルチレベルセル(MLC)NAND型フラッシュメモリを発表した。

エルピーダメモリ、25nm技術によるPC等向けDRAMを出荷……今後はモバイル機器向けも 画像
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エルピーダメモリ、25nm技術によるPC等向けDRAMを出荷……今後はモバイル機器向けも

 エルピーダメモリは1日、半導体メモリDDR3 SDRAMの新製品として、25nmプロセス世代となる2ギガビットの「EDJ2104BFSE」(データ幅×4ビット)と「EDJ2108BFSE」(データ幅×4ビット)を発表した。7月末からサンプル出荷を開始している。

インテルとマイクロン、業界最小の20nmプロセス技術NAND型フラッシュメモリを発表 画像
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インテルとマイクロン、業界最小の20nmプロセス技術NAND型フラッシュメモリを発表

 米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジー社は現地時間14日、NAND型フラッシュメモリーの製造に利用される、20nm(ナノメートル)プロセス技術を発表した。20nmプロセス技術は、8Gバイト(GB)の多値セル(MLC)NAND型フラッシュメモリを実現する見込みだ。

インテル、米国の次世代製造施設へ60億ドル以上を投資へ 画像
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インテル、米国の次世代製造施設へ60億ドル以上を投資へ

 米インテルは19日、60億ドル~80億ドルを製造施設に投資し、オレゴン州に新たな製造技術開発施設(ファブ)を建設し、既存の4拠点を次世代の22ナノメートル(nm)プロセス製造技術に移行するなどの計画を発表した。

インテルとマイクロン、25nmプロセス技術採用3ビット/セルNAND型フラッシュメモリのサンプル出荷開始 画像
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インテルとマイクロン、25nmプロセス技術採用3ビット/セルNAND型フラッシュメモリのサンプル出荷開始

 米インテルとマイクロン テクノロジーは現地時間17日、業界で最大容量・最小のNAND製品となる、25nm(ナノメートル)プロセス技術を採用した3ビット/セルNAND型フラッシュメモリの出荷を発表した。

インテル、HPC向けに新しい“MIC”アーキテクチャCPUの投入を発表 ~ 22nm技術を採用 画像
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インテル、HPC向けに新しい“MIC”アーキテクチャCPUの投入を発表 ~ 22nm技術を採用

 インテルは独時間5月31日、1秒あたり最大数兆回規模の計算処理を実現することが可能な“インテル メニー・インテグレーテッド・コア(MIC)アーキテクチャー”に基づいた新製品を投入する計画を発表した。

インテル、データセンター向けとなるXeonプロセッサー 5600番台を発表 画像
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インテル、データセンター向けとなるXeonプロセッサー 5600番台を発表

 インテルは17日、データセンター向けとなる最新CPU「インテルXeonプロセッサー5600番台」を発表した。

IntelとMicron、最新25nmプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリを発表 画像
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IntelとMicron、最新25nmプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリを発表

 米Intel(インテル)とMicron(マイクロン)は現地時間1日、世界初となる25nm(ナノメートル)プロセス技術を採用したNAND技術を発表した。

インテル、ノートPC向けのCore i7プロセッサーを発表 画像
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インテル、ノートPC向けのCore i7プロセッサーを発表

 インテルは24日、ノートPC向けのCPUとしてCore i7-920XM、Core i7-820QM、Core i7-720QMの3製品を発表。本日から発売を開始した。

インテル、SSDの製造を34nmプロセス技術に移行 〜 1.8インチサイズを第3四半期後半出荷 画像
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インテル、SSDの製造を34nmプロセス技術に移行 〜 1.8インチサイズを第3四半期後半出荷

 インテルは21日、NAND型フラッシュ・メモリを採用したソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の製造を、最先端の34nm(ナノメートル)プロセス技術による製造へ移行すると発表した。

松下電器、携帯電話用UniPhierシステムLSIを開発〜通信・アプリ機能を1チップに統合 画像
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松下電器、携帯電話用UniPhierシステムLSIを開発〜通信・アプリ機能を1チップに統合

 松下電器産業は7月下旬より、通信機能とアプリケーション機能を低消費電力化技術と45ナノメートルプロセスで1チップに統合したUniPhierシステムLSI(UniPhier4MBB+、品番:MN2CS0038)のサンプル出荷を開始する。

インテルとマイクロン、業界初40nm以下プロセス技術によるNAND型フラッシュメモリ〜携帯ストレージの大容量化 画像
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インテルとマイクロン、業界初40nm以下プロセス技術によるNAND型フラッシュメモリ〜携帯ストレージの大容量化

 米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジーは現地時間29日、業界初となる40nm(ナノメートル)以下のプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリとして、多値セル技術を採用した34nmの32Gビット製品を発表した。

インテル、Centrino Atomの利用モデルとアプリケーション開発コンテスト開催 画像
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インテル、Centrino Atomの利用モデルとアプリケーション開発コンテスト開催

 インテルは、モバイル機器向けCPU「Centrino Atom」の発表を記念して、搭載端末の斬新な利用モデルに関するアイデア募集および搭載端末の活用を促進するユニークなアプリケーション開発のコンテストを開催する。

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