ルネサス、28nmマイコンに内蔵するフラッシュメモリ技術を世界初開発 2枚目の写真・画像

　ルネサス エレクトロニクスは2月18日、回路線幅に28nm（ナノメートル：10億分の1メートル）プロセスを採用した、マイコン内蔵用フラッシュメモリ技術を世界で初めて開発したことを発表した。