東芝、世界初となる256ギガビット3次元フラッシュメモリの製品化を発表 | RBB TODAY

東芝、世界初となる256ギガビット3次元フラッシュメモリの製品化を発表

エンタープライズ ハードウェア
48層積層プロセスを用いた世界初の256ギガビット3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」。四日市工場の第5棟で製造を開始。2016年前半に竣工予定の新・第2製造棟でも製造する予定(画像はプレスリリースより)
  • 48層積層プロセスを用いた世界初の256ギガビット3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」。四日市工場の第5棟で製造を開始。2016年前半に竣工予定の新・第2製造棟でも製造する予定(画像はプレスリリースより)
 東芝は4日、48層積層プロセスを用いた世界初の256ギガビット(32ギガバイト)の3ビット/セル(TLC)3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の開発を発表した。9月からサンプル出荷を開始する。

 「BiCS FLASH」は世界最先端の48層積層プロセスを用いることで、大容量化を実現した3次元(3D)構造のNANDフラッシュメモリ。回路技術やプロセスを最適化することで、現行の2次元(2D)NANDフラッシュメモリと比べ、大容量化に加え書き込み速度を高速化。また書き換え寿命も長寿命化するなど信頼性もより向上した。

 本製品はSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードといったコンシューマ製品のほか、データセンター向けSSDなどエンタープライズ向けも展開していく予定だという。
《防犯システム取材班/小菅篤》

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