IP55のタフモデルなど「ポータブルSSD」2タイプを発表……サンディスク
サンディスクは18日、防滴・防塵に対応したポータブルSSD「サンディスク エクストリーム510ポータブルSSD」などを4月から出荷開始することを発表した。
Lightning＋USBのデュアルコネクタ搭載メモリ「i-Memory UE710」
ADATAテクノロジーは、USB 3.0対応のUSB＋Lightningコネクタ装備の「i-Memory UE710」シリーズを発表した。11月中旬の発売で、価格はオープン。
東芝、世界初となる256ギガビット3次元フラッシュメモリの製品化を発表
東芝は4日、48層積層プロセスを用いた世界初の256ギガビット（32ギガバイト）の3ビット／セル（TLC）3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の開発を発表した。9月からサンプル出荷を開始する。
Lightning端子とUSB 3.0端子を装備したフラッシュメモリ「PQI iConnect」
PQI Japanは、Lightning端子とUSB 3.0 Type-A端子を装備したフラッシュメモリ「PQI iConnect」を発表した。発売は8月17日、予想実売価格は4,990円～。
インテルとマイクロン、不揮発性メモリを最大1,000倍高速化する新技術を開発
米インテルと米マイクロン テクノロジーは29日、不揮発性メモリ（デバイスの電源を切ってもデータが消えないメモリ）の新技術となる「3D XPointテクノロジー」を発表した。
設定した“寿命”どおりに自動的にデータが壊れるメモリシステム、中央大が開発
中央大学（竹内健・理工学部教授グループ）は18日、データの“寿命”をあらかじめ設定することで、指定した時点で自動的にデータが壊れるメモリシステムを開発したことを発表した。
サンディスク、Type-Cコネクタ搭載のデュアルUSBメモリ発売へ
サンディスクは17日、Type-CコネクタとUSB 3.0コネクタを搭載したデュアルUSBフラッシュメモリ「サンディスク デュアル USB ドライブ Type-C」を発表した。発売は7月で、予想実売価格は10,000円前後。
世界初の48層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを東芝が開発
東芝は世界で初めて、48層積層プロセスを用いた128ギガビット（16ギガバイト）のMLC3次元フラッシュメモリ「BiCS」を開発。26日よりサンプル出荷を開始した。
サンディスク、Lightningコネクタ備えたUSBフラッシュメモリ
サンディスクは29日、LightningコネクタとUSBコネクタを備えたUSBフラッシュメモリ「サンディスク iXpand フラッシュドライブ」を発表した。2月上旬にヨドバシカメラとビックカメラで先行販売される。
Lightningコネクタ搭載のフラッシュメモリ「Gmobi iStick」を9月1日に発売
PQI Japanは22日、LightningとUSBを搭載したデュアル端子仕様のフラッシュメモリ「Gmobi iStick」を9月1日に発売すると発表した。価格は8GBモデルが8,900円（税抜）から。
ルネサス、28nmマイコンに内蔵するフラッシュメモリ技術を世界初開発
ルネサス エレクトロニクスは2月18日、回路線幅に28nm（ナノメートル：10億分の1メートル）プロセスを採用した、マイコン内蔵用フラッシュメモリ技術を世界で初めて開発したことを発表した。
版画の可能性を広げる「HANTO」【BASE@青参道アートフェア】
アートイベント「青参道アートフェア」（10月24日から27日）に出展するネットショップサービス「BASE」。日替わりで同サイトを利用している8ショップが展示・販売を行います。会場はH.P.FRANCE企画室（東京都渋谷区神宮前5-17-24GB3階）。
日本HP、オールフラッシュストレージ「HP 3PAR StoreServ 7450」発表
日本ヒューレット・パッカードは12日、エンタープライズ向けストレージ製品「HP 3PAR StoreServ」の新モデルとして、独自の最適化テクノロジーを搭載した高性能オールフラッシュストレージ「HP 3PAR StoreServ 7450」を発表した。
SQL Serverを高速化した「Microsoft SQL Server SSD Appliance」、6社より提供開始
日本マイクロソフトは17日、SCSK、ソフトバンク・テクノロジー、デル、東芝ソリューション、日本ヒューレット・パッカード、日本ユニシスの計6社とともに、超高速データベースマシン「Microsoft SQL Server SSD Appliance」の提供を開始した。
会議中にその場でデータを共有できる無線LAN搭載メモリ「パケッタ」
キングジムは、無線LAN機能を搭載したフラッシュメモリ「パケッタ」を発表した。販売開始は12月19日。希望小売価格は、16GB（ブラック）「WS10-16G」が14,700円、8GB（ホワイト）「WS10-8G」が9,870円。
日立、SSD活用でVSPの高速データ処理を実現する「Flash acceleration」提供開始
日立製作所は24日、半導体メモリを利用した記憶媒体“フラッシュ媒体”を活用し、高速なデータ処理を実現するストレージソリューションの製品展開を、段階的に強化することを発表した。
ルネサスエレクトロニクス、40nmの微細化した車載用フラッシュマイコンを開発
ルネサスエレクトロニクスは、40nm（ナノメートル）プロセスのマイコン内蔵用フラッシュメモリを業界で初めて開発した。
インテルとマイクロン、世界初の20nmプロセス技術に基づくフラッシュメモリの量産開始
米インテルとマイクロン テクノロジー社は現地時間6日、NAND型フラッシュテクノロジーで世界初となる、20ナノメートル（nm）プロセス技術に基づく128ギガビット（Gb）および64ギガビットのマルチレベルセル（MLC）NAND型フラッシュメモリを発表した。
スパンション、20nmのNANDフラッシュメモリを2013年に発売
NOR型フラッシュメモリ最大手の日本スパンションは27日、川崎本社において報道向けに技術説明会を開催した。
インテルとマイクロン、業界最小の20nmプロセス技術NAND型フラッシュメモリを発表
米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジー社は現地時間14日、NAND型フラッシュメモリーの製造に利用される、20nm（ナノメートル）プロセス技術を発表した。20nmプロセス技術は、8Gバイト（GB）の多値セル（MLC）NAND型フラッシュメモリを実現する見込みだ。
インテル、最大600GBの第3世代SSD「320」シリーズ
インテルは12日、業界最先端をうたう25nmプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリを搭載した「インテルSSD 320」シリーズを発表した。出荷を開始している。
東芝、タブレットやポータブル端末向けの24nmプロセスフラッシュメモリ
東芝は6日、メディアプレーヤーやタブレット、ポータブル端末などの組み込み用途として、24nmプロセスのコントローラー搭載NAND型フラッシュメモリ「SmartNAND」の新製品を発表した。4GB～64GBまでの全8製品。
ハギワラシスコム、民事再生法の適用を申請へ……負債は約100億円
帝国データバンクは31日、大型倒産速報として、ハギワラシスコムが名古屋地裁へ民事再生法の適用を申請したことを報じた（同日付）。報告によれば、負債は約100億円。
【地震】半導体大手のルネサスエレクトロニクス、一部生産を再開
半導体大手メーカーのルネサスエレクトロニクスは22日、東北地方太平洋沖地震および計画停電による同社グループ生産拠点の影響について最新状況を発表。青森県や山形県の工場で一部生産を再開した。
