富士通研究所、次世代FeRAM用新メモリ材料を開発〜1,000億回の書き換えを実現
富士通研究所、先端LSIのソフトエラー発生率を短期間で高精度に測定する技術を開発 2枚目の写真・画像
富士通研究所は30日、国立天文台ハワイ観測所と共同で宇宙線の一種である中性子線によって引き起こされる先端LSIの誤動作、ソフトエラーの利用現場における発生率を短期間で高精度に測定する技術を確立した。
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