スパンション、20nmのNANDフラッシュメモリを2013年に発売 2枚目の写真・画像

エンタープライズ

米スパンション マーケティング＆ビジネスデベロプメント担当シニアバイスプレジデント アリ・プールケラマティ氏

スパンションの「MirrorBitチャージ・トラップ技術」。単一の非導電性窒化膜内の異なる2カ所に、2つの異なる電荷量を格納することで、1セルあたり2bitを記録する。フローティング・ゲート技術と比べ、同構造がシンプルで、信頼性も高く、微細化も有利

同社のビジネスモデルの進化。現在は特定アプリケーション向けチャージ・トラップ型不揮発性メモリと、組み込み系／オンンチップ集積向け分野に注力

同社の車載向け分野での市場シェアは60％を超えている。用途としてテレマティクス、高度ドライバ支援システム、ナビゲーションシステムなどがあり、幅広く活用されている

スパンションのテクノロジー動向。微細化が進み、現在中心になっている65nmプロセスから、今後は45nm、32nm、22nmへと進んでいく方向だ

NOR型フラッシュメモリのセル・サイズの推移。グラフのように、90nmから32nmの微細化プロセスにともなって、コア有効セルサイズも50％ずつ半減

パラレル＆シリアルNORフラッシュメモリのロードマップ。45nmプロセス製品が、2012年の下期にサンプル出荷される

SLC NANDとMLC NANDの性能比較。SLC NANDは耐久性、安定性、パフォーマンスに優れ、MLC NANDは大容量化、ビットコスト、発展性などに秀いでる

NAND型フラッシュメモリのロードマップ。年末に1GbのSLC NAND（40nmプロセス）を提供。来年末ぐらいまでに容量を2／4／8Gbまでに拡大していく方針だ。開発中の20nmプロセスについては、2013年の下期に登場する予定

Q4にサンプル出荷されるSLC NAND型フラッシュメモリ。組み込み用途をターゲットにしている。安定供給、適切な価格、長期サポートが可能な製品を提供