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スパンション、20nmのNANDフラッシュメモリを2013年に発売 2枚目の写真・画像

　NOR型フラッシュメモリ最大手の日本スパンションは27日、川崎本社において報道向けに技術説明会を開催した。

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スパンションの「MirrorBitチャージ・トラップ技術」。単一の非導電性窒化膜内の異なる2カ所に、2つの異なる電荷量を格納することで、1セルあたり2bitを記録する。フローティング・ゲート技術と比べ、同構造がシンプルで、信頼性も高く、微細化も有利
スパンションの「MirrorBitチャージ・トラップ技術」。単一の非導電性窒化膜内の異なる2カ所に、2つの異なる電荷量を格納することで、1セルあたり2bitを記録する。フローティング・ゲート技術と比べ、同構造がシンプルで、信頼性も高く、微細化も有利

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