インテルとマイクロン、業界最小の20nmプロセス技術NAND型フラッシュメモリを発表 | RBB TODAY

インテルとマイクロン、業界最小の20nmプロセス技術NAND型フラッシュメモリを発表

エンタープライズ ハードウェア

 米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジー社は現地時間14日、NAND型フラッシュメモリーの製造に利用される、20nm(ナノメートル)プロセス技術を発表した。20nmプロセス技術は、8Gバイト(GB)の多値セル(MLC)NAND型フラッシュメモリを実現する見込みだ。

 20nmプロセス技術による8GBの新しいNANDフラッシュメモリの面積は約118平方ミリ。これは、インテルとマイクロン両社の従来の25nmプロセス技術に基づく8GB NAND型フラッシュメモリと比較して、ボード面積で30~40%の削減になる(パッケージの種類によって異なる)。フラッシュ・ストレージの占有面積の縮小により、スマートフォン、タブレット端末、ソリッド・ステート・ドライブ (SSD) などのコンピューティング機器で、システム・レベルの設計自由度が向上するという。

 20nmプロセス技術に基づく8GBのNANDフラッシュメモリは、インテルとマイクロンの合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジーズ(IMFT)によって製造される予定。20nmプロセス技術を採用した8GB製品は14日よりサンプル出荷を開始し、2011年後半期に量産出荷される予定。なおインテルとマイクロンは、最大128GBの容量のSSDを設計できる16GB製品のサンプル出荷も予定している。
《冨岡晶》

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