東芝、32nm世代以降のLSI向けに導入する高性能化技術を開発〜メタルゲートなど主要課題に目処 2枚目の写真・画像

　東芝は12日に、32ナノメートル（以下、nm）世代以降の高性能LSI以降に必須とされる3種類の主要技術について、実用水準の性能や加工効率を達成する新構造・新技術を開発したと発表した。今後も、2010年度前半の量産開始を目指して開発を継続する。