東芝、世界初19nmプロセスのNAND型フラッシュメモリを用いたPC向けSSDを発売
世界初の48層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを東芝が開発 1枚目の写真・画像
東芝は世界で初めて、48層積層プロセスを用いた128ギガビット(16ギガバイト)のMLC3次元フラッシュメモリ「BiCS」を開発。26日よりサンプル出荷を開始した。
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東芝は世界で初めて、48層積層プロセスを用いた128ギガビット(16ギガバイト)のMLC3次元フラッシュメモリ「BiCS」を開発。26日よりサンプル出荷を開始した。