世界初の48層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを東芝が開発 | RBB TODAY

世界初の48層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを東芝が開発

エンタープライズ セキュリティ

BiCSはこれまでよりも密度を高めた48層積層プロセスを採用。東芝とサンディスクが共同で運営する四日市工場にて、2016年から量産・出荷の予定(画像は同社リリースより)。
  • BiCSはこれまでよりも密度を高めた48層積層プロセスを採用。東芝とサンディスクが共同で運営する四日市工場にて、2016年から量産・出荷の予定(画像は同社リリースより)。
 東芝は世界で初めて、48層積層プロセスを用いた128ギガビット(16ギガバイト)のMLC3次元フラッシュメモリ「BiCS」を開発。26日よりサンプル出荷を開始した。

 「BiCS」は世界初という48層積層プロレスを使ったフラッシュメモリ。現在主流となっている、シリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並べた「NAND構造」ではなく、シリコン平面から垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げ、素子密度を大幅に向上した構造を持つ。

 容量が大幅に増え、書き込み速度が高速化しただけでなく、書き換え寿命の信頼性向上も実現している。同社ではSSDなどへの搭載を見込んでいる。
《防犯システム取材班/宮崎崇》

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