IntelとMicron、最新25nmプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリを発表

エンタープライズハードウェア

2010年2月2日（火） 13時29分

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　米Intel（インテル）とMicron（マイクロン）は現地時間1日、世界初となる25nm（ナノメートル）プロセス技術を採用したNAND技術を発表した。

　NAND型フラッシュメモリは、一般消費者向けデジタル家電製品のデータやその他のメディアを記憶し、電源がオフの状態でも情報を保持することが可能な製品。25nmプロセス技術の最小のNAND型フラッシュメモリは、世界最小の半導体技術で、スマートフォン、音楽プレイヤーやメディア・プレイヤーなどデジタル機器や高性能ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）向けに、より優れたコスト効率の大容量ストレージを提供可能とするものだ。

　この最新技術は、両社の合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジーズ（IMFT）によって製造された。インテルとマイクロンは2006年にIMFTを設立した後、50nmプロセス技術による製造を開始し、その後2008年に34nmプロセス技術での製造を開始した。25nmプロセス技術では1チップに8Gバイト（GB）の容量を集積でき、小型化が進むデジタル機器向けに記録媒体の大容量化に対応する。8GB製品のダイサイズはコンパクトディスク（CD）の中央の穴より小さい167平方mmで、記憶容量700Mバイトの一般的なCDの10倍以上のデータを記憶可能。

　25nmプロセス技術を採用した8GB製品は、同日よりサンプル出荷を開始し、2010年第2四半期の量産出荷を予定している。家電メーカーには、2ビット/セル多値セル（MLC）でもっとも高い集積度を実現した業界標準の薄型スモール・アウトライン・パッケージ（TSOP）に収まる複数の8Gバイト（GB）チップを積層することによりストレージ容量をさらに増加可能。今回発表の25nmプロセス技術による8GB製品はこれまでのプロセス技術に比べ、チップ数を50％削減し、さらに小型で高集積な設計およびコスト効率を実現する見込みだ。

《冨岡晶》