IntelとMicron、最新25nmプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリを発表 | RBB TODAY

IntelとMicron、最新25nmプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリを発表

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YouTubeではMicronによる解説動画も公開されている
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  • 25nm 8GB NANDフラッシュデバイス
 米Intel(インテル)とMicron(マイクロン)は現地時間1日、世界初となる25nm(ナノメートル)プロセス技術を採用したNAND技術を発表した。

 NAND型フラッシュメモリは、一般消費者向けデジタル家電製品のデータやその他のメディアを記憶し、電源がオフの状態でも情報を保持することが可能な製品。25nmプロセス技術の最小のNAND型フラッシュメモリは、世界最小の半導体技術で、スマートフォン、音楽プレイヤーやメディア・プレイヤーなどデジタル機器や高性能ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)向けに、より優れたコスト効率の大容量ストレージを提供可能とするものだ。

 この最新技術は、両社の合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジーズ(IMFT)によって製造された。インテルとマイクロンは2006年にIMFTを設立した後、50nmプロセス技術による製造を開始し、その後2008年に34nmプロセス技術での製造を開始した。25nmプロセス技術では1チップに8Gバイト(GB)の容量を集積でき、小型化が進むデジタル機器向けに記録媒体の大容量化に対応する。8GB製品のダイサイズはコンパクトディスク(CD)の中央の穴より小さい167平方mmで、記憶容量700Mバイトの一般的なCDの10倍以上のデータを記憶可能。

 25nmプロセス技術を採用した8GB製品は、同日よりサンプル出荷を開始し、2010年第2四半期の量産出荷を予定している。家電メーカーには、2ビット/セル多値セル(MLC)でもっとも高い集積度を実現した業界標準の薄型スモール・アウトライン・パッケージ(TSOP)に収まる複数の8Gバイト(GB)チップを積層することによりストレージ容量をさらに増加可能。今回発表の25nmプロセス技術による8GB製品はこれまでのプロセス技術に比べ、チップ数を50%削減し、さらに小型で高集積な設計およびコスト効率を実現する見込みだ。
《冨岡晶》

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