東芝とNECエレ、32nm世代のシステムLSIプロセスの共同開発で合意 | RBB TODAY

東芝とNECエレ、32nm世代のシステムLSIプロセスの共同開発で合意

 東芝およびNECエレクトロニクスは27日に、32nm(ナノメートル、1ナノメートル=10億分の1メートル)世代のシステムLSIプロセス技術を共同開発することを発表した。

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 東芝およびNECエレクトロニクスは27日に、32nm(ナノメートル、1ナノメートル=10億分の1メートル)世代のシステムLSIプロセス技術を共同開発することを発表した。

 両社は、2006年2月から45nm世代に対応するシステムLSIプロセス技術を共同開発してきたが、引き続き32nm世代でも共同開発を行うこととなった。32nm世代のプロセス技術開発では、高性能化・低消費電力化を実現するために非常に高度な技術が要求され、従来にも増して開発リソースの負担が増大する。今回の合意は、量産に向けた最先端プロセス開発を加速するとともに、開発コストの負担を両社で分担し、投資効率の向上を図るのが狙いと見られる。

 両社は現在45nmの共同開発を行っている東芝のアドバンストマイクロエレクトロニクスセンター(横浜市)において、引き続き32nm共同開発を行う。両社で開発するのは基幹プロセスとし、それ以外の付加プロセスや差異化プロセスについては、両社で協議の上、個別にその扱いを決めていくとのこと。製品の生産に関しては共同生産を視野に入れて両社で協議を継続し、2008年中に方針を決定する予定だ。
《冨岡晶》

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