世界初の48層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを東芝が開発
      東芝、世界初となる256ギガビット3次元フラッシュメモリの製品化を発表 1枚目の写真・画像
東芝は4日、48層積層プロセスを用いた世界初の256ギガビット(32ギガバイト)の3ビット/セル(TLC)3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の開発を発表した。9月からサンプル出荷を開始する。
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  東芝は4日、48層積層プロセスを用いた世界初の256ギガビット(32ギガバイト)の3ビット/セル(TLC)3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の開発を発表した。9月からサンプル出荷を開始する。