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100年以上の長期記憶が可能なSSD技術、中央大が開発

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nLC技術におけるデータの配置イメージ
  • nLC技術におけるデータの配置イメージ
  • SSDの信頼性（予測数値）
  • 実験データからの100年後の不良率（BER）の予測
　中央大学（理工学部 竹内健教授）は13日、ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）のエラーを80％低減する技術を開発したことを発表した。SSDによる100年以上の長期データ記憶が可能になるという。

　フラッシュメモリは、HDDや光ディスクなどの記憶媒体と比べて、高速・低電力という利点があるが、メモリセルに蓄えた電子がリークすることで記憶したデータが失われ、エラーが発生するという問題があった。今回竹内教授らは、メモリセルに記憶する状態の数を最適な値に設定することで、長期保存を可能にする新技術を提案している。

　1つのメモリセルに3ビット記憶する大容量フラッシュメモリに対して、7個の状態を効率的に使用する「nLCセル方式」により、大容量と高い信頼性を両立した（実験では約1年の実測結果から、100年後、1000年後のメモリの不良率を予測）。

　また、データを頻繁に書き換える応用製品に対しても、適応制御型の信号変調方法を提案し、メモリのエラーを50％削減できたとしている。

　これらの技術によりSSDはスマートフォンやPCのみならず企業向けサーバ、クラウドデータセンターや100年、1000年といった長期にデータを保存するデジタルアーカイブなど幅広い分野への応用が期待されるとのこと。
《冨岡晶》

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