米IBMら、22nmプロセスの技術を採用した世界最小の実働SRAMの試作に成功
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今回製作に成功した22nmプロセスは、現行のプロセスより2世代先行したプロセスで、32nm high-Kメタルゲート技術を採用して現在開発が進められている32nmプロセスが次世代のプロセスとなる。SRAMはセルと呼ばれる基盤ブロック部分を縮小することで集積度を上げるが、今回試作された22nmプロセスのSRAMではセルデザインと回路レイアウトの最適化を行うことで安定性を向上させたほか、新しい製造手法をいくつか取り入れることでhigh-NA液浸リソグラフィーを利用することで300mm半導体研究環境でも試作を可能とした。
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