「インテルSSD 910シリーズ」は、25ナノメートル（nm）プロセス技術に基づくマルチレベル・セル（MLC）NAND型フラッシュ・メモリを採用した製品。標準的なMLC方式のフラッシュ製品の30倍の耐久性を実現した。5年間にわたり最大1日10回のドライブ全域への書込みに相当する耐久性となっている。ラインアップは、400Gバイト（GB）および800GBの2種類で、800GB製品は、シーケンシャル読込み速度2GB/s、シーケンシャル書込み速度1GB/sの性能を持っており、4Kランダム読込み値で最高180,000IOPS（Input/Output Per Second）、4Kランダム書込み値で最高75,000IOPSを達成したとのこと。
