インテルとマイクロン、業界初40nm以下プロセス技術によるNAND型フラッシュメモリ〜携帯ストレージの大容量化 | RBB TODAY

インテルとマイクロン、業界初40nm以下プロセス技術によるNAND型フラッシュメモリ〜携帯ストレージの大容量化

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る40nm(ナノメートル)以下のプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリとして、多値セル技術を採用した34nmの32Gビット製品を発表した。

 34nmプロセス技術は、インテルとマイクロンの共同開発によるもので、製造は両社の合弁会社「IMフラッシュ テクノロジーズ(IMFT)」が行う。サンプル出荷の開始は今年6月、量産出荷は2008年後半を予定中。34nmの32Gビット製品は、1チップで提供され、同じ容量の製品のなかでは標準的な48ピンTSOPパッケージに収まる唯一の製品となるとのこと。即座にSSDのストレージ容量を倍増でき、現在標準的な1.8インチ・ハードディスク(HDD)スロット用のSSD容量を256Gバイト以上に増大できる見込み。またこの製品は、300ミリ・ウエハで製造される計画で、ウエハー1枚当たり1.6テラバイトものNANDフラッシュメモリが製造されることになる。ダイサイズは172平方ミリメートルで、携帯端末にもコスト効率よく大容量のSSDを収容できるようになるとのこと。

 ちなみに、1つの32Gビット製品で、高解像度の写真なら2,000枚以上、音楽なら1,000曲程度、保存できる。8個のダイを積層したパッケージを2枚利用した容量64Gバイトのストレージなら、HD映像を8時間から40時間程度まで、録画できるようになる。

 インテルとマイクロンは、34nmアーキテクチャを採用した多値セルの低容量品やシングルセル品を、年内に随時追加する計画だ。
《冨岡晶》

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