“未来の磁気メモリ”につながる成分を新発見……東大物性研、産総研ら 1枚目の写真・画像 | RBB TODAY
※本サイトはアフィリエイト広告を利用しています

“未来の磁気メモリ”につながる成分を新発見……東大物性研、産総研ら 1枚目の写真・画像

 東京大学物性研究所(徳永将史 准教授らの研究グループ)、産業技術総合研究所、福岡大学、上智大学、青山学院大学は13日、未来の磁気メモリ材料開発につながる、新たな電気分極成分を発見したことを発表した。

エンタープライズ ハードウェア

関連ニュース

模式的に表した3値メモリ。電気分極方向が120度異なる3つの状態を表現できる
模式的に表した3値メモリ。電気分極方向が120度異なる3つの状態を表現できる

編集部おすすめの記事

特集

エンタープライズ アクセスランキング

  1. 【今週のエンジニア女子 Vol.22】ここだから出来る、独自の強みを提供したい……邉見萌乃さん

    【今週のエンジニア女子 Vol.22】ここだから出来る、独自の強みを提供したい……邉見萌乃さん

アクセスランキングをもっと見る

page top