
インテルとマイクロン、世界初の20nmプロセス技術に基づくフラッシュメモリの量産開始 1枚目の写真・画像
米インテルとマイクロン テクノロジー社は現地時間6日、NAND型フラッシュテクノロジーで世界初となる、20ナノメートル(nm)プロセス技術に基づく128ギガビット(Gb)および64ギガビットのマルチレベルセル(MLC)NAND型フラッシュメモリを発表した。
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