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米IBMら、22nmプロセスの技術を採用した世界最小の実働SRAMの試作に成功

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　米IBM、米AMD、米Freescale、スイス・STMicroelectronics、東芝、およびニューヨーク州立大学アルバニー校のナノスケール科学工学カレッジ（CNSE）は18日（現地時間）、ニューヨーク州アルバニーにあるIBMの300mmプロセス研究所において製作された、22nmプロセス技術採用のSRAMの試作品を発表した。

　今回製作に成功した22nmプロセスは、現行のプロセスより2世代先行したプロセスで、32nm high-Kメタルゲート技術を採用して現在開発が進められている32nmプロセスが次世代のプロセスとなる。SRAMはセルと呼ばれる基盤ブロック部分を縮小することで集積度を上げるが、今回試作された22nmプロセスのSRAMではセルデザインと回路レイアウトの最適化を行うことで安定性を向上させたほか、新しい製造手法をいくつか取り入れることでhigh-NA液浸リソグラフィーを利用することで300mm半導体研究環境でも試作を可能とした。
《富永ジュン》

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