NTT、世界初のGaN系半導体剥離プロセスを開発……より薄いLED作製などに期待 1枚目の写真・画像

　日本電信電話株式会社（NTT）は11日、現在発光ダイオード（LED）などに広く使用されている窒化ガリウム（GaN）系半導体薄膜素子を簡単に剥離するプロセスの開発に成功したことを発表した。