【画像】NTT、世界初のGaN系半導体剥離プロセスを開発……より薄いLED作製などに期待 (1/4)| RBB TODAY

NTT、世界初のGaN系半導体剥離プロセスを開発……より薄いLED作製などに期待 1枚目の写真・画像

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ラミネート膜を用いたLED試作品
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