富士通研究所、次世代FeRAM用新メモリ材料を開発〜1,000億回の書き換えを実現 1枚目の写真・画像

　富士通研究所と東京工業大学は28日に、次世代FeRAM向けの新しいメモリ材料を開発したことを発表したビスマスフェライトの成分の一部を置き換えたものを用いることで、1,000億回の繰り返し書き換えおよびリーク電流の低減に成功したとのこと。