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日立とオプネクスト、40ギガビット/秒に対応した非冷却半導体レーザを開発

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 日立製作所とOpnext, Inc.(オプネクスト)は24日、次世代高速光通信規格(40ギガビット/秒)に対応した光送受信機器の光源に用いられる、非冷却型の半導体レーザをあらたに開発したことを発表した。

 従来の半導体レーザは、正常に動作可能な温度範囲が±5℃程度と非常に狭いため、冷却機構が必須で、その分消費電力が増加してしまうという問題があった。今回新開発されたレーザは、冷却機構を不要としたことにより、装置の小型化・低コスト化・機器の電力削減が可能となったという。

  これまで、日立とオプネクストは、10ギガビット/秒の非冷却半導体レーザを製品化すると共に、本年2月には25ギガビット/秒の非冷却半導体レーザを試作し、12kmの光ファイバ伝送の実証実験に成功するなど、非冷却半導体レーザの実績を積み重ねていた。これらの開発で蓄積された技術をベースに、今回、次世代通信規格である40ギガビット/秒で動作する非冷却半導体レーザが開発されたとのこと。

  なお実証実験では、25℃〜85℃の広い温度範囲において、伝送速度43ギガビット/秒で10kmの光ファイバー伝送に成功しており、非冷却半導体レーザ光源において、40ギガビット光送受信が実証されたのは、今回が初めてとなる。

 同技術は、光通信ヨーロッパ会議「ECOC(European Conference on Optical Communication)2008」(9月21日〜25日@ブリュッセル)にて、日立とオプネクストの子会社である日本オプネクストが共同で発表している。
《冨岡晶》
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