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東芝、磁性体メモリMRAMのギガビット級大容量化に向け、新型MTJ素子を開発 1枚目の写真・画像

　東芝は、磁性体メモリMRAMをギガビット級に大容量化するための要素技術として、微細化に適したスピン注入磁化反転技術と素子寸法を大幅に削減できる垂直磁化方式を組み合わせた新型MTJ素子を開発した。

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新型MTJ（Magnetic Tunneling Junction）素子の素子構造
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