東芝は、磁性体メモリMRAM（Magnetoresistive Random Access Memory：磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリ）をギガビット級に大容量化するための要素技術として、微細化に適したスピン注入磁化反転技術と素子寸法を大幅に削減できる垂直磁化方式を組み合わせた新型MTJ（Magnetic Tunneling Junction）素子を開発した。新技術については、垂直磁化で動作する世界初の成果として、米国で開催中の磁気記録に関する国際会議「Conference on Magnetism and Magnetic Materials（3M）」で6日（現地時間）発表された。
