東芝、43nmプロセスを採用した16Gb容量のNAND型フラッシュメモリを開発
エンタープライズ
ハードウェア
-
コスパ最強の“手のひらサイズ”ミニPC「GT13 Pro 2025 Edition」「A5 2025 Edition」がGEEKOMから登場！
-
東芝、「GyaO」も視聴できる無線LAN搭載「gigabeat」8GBモデル
-
東芝、高速生成レートの物理乱数生成回路技術を開発
43nmプロセスでは、高電圧印加時の誤書込みを防ぐためにメモリセルの両端にダミーワード線を設ける必要があるが、今回発表されたNAND型フラッシュメモリでは並列メモリセル数を従来の32セルの2倍にし、さらに両端にダミーワード線を加えた66セルとしたもの。これにより、メモリセルの両側にあるセレクトゲートの数を削減し、面積効率を向上させている。また、周辺回路に高電圧スイッチを入れることで、コントロールゲートドライバを共有化し、電源用配線をセルアレイ上に通すなどの設計の見直しを行うことにより、56nm世代の同容量製品と比較して約30%チップ面積が少ない、約120平方ミリメートルを実現した。
今後は2008年第3四半期の早期に32ギガビット品の量産を開始する予定だ。
