書き換え回数1億回以上、書き込み電圧6V以下を実証——産総研、強誘電体NANDフラッシュメモリー 2枚目の写真・画像

　産業技術総合研究所は19日、東京大学大学院工学系研究科竹内健准教授と共同で、強誘電体ゲート電界効果トランジスタ（FeFET）をメモリーセルとして用いるとNANDフラッシュメモリーの性能が著しく向上することを実証した。