産総研、赤外線を使ってアスベストを溶融・無害化する技術を開発
書き換え回数1億回以上、書き込み電圧6V以下を実証——産総研、強誘電体NANDフラッシュメモリー 1枚目の写真・画像
産業技術総合研究所は19日、東京大学大学院工学系研究科竹内健准教授と共同で、強誘電体ゲート電界効果トランジスタ（FeFET）をメモリーセルとして用いるとNANDフラッシュメモリーの性能が著しく向上することを実証した。
エンタープライズ
その他
関連ニュース
編集部おすすめの記事
特集
エンタープライズ アクセスランキング
-
【インタビュー】スタバはなぜ無料Wi-Fiを導入したか？……CEOに聞くスターバックスの成長戦略（前編）
-
またもバイトテロ……はま寿司、“ハサミ天ぷら”謝罪
-
電子マネー「Edy」、スマートフォンでのインターネット決済が可能に
-
すき家バイト女子高生のわいせつ写真で、ゼンショーHDが警察に相談
-
auとSoftBank、小電力レピータ設置に必要な包括免許を付与すると電波監理審議会から答申
-
グリー、世界最大級ゲーム基盤「GREE Platform」を来年構築…モンハン、バイオなど有名ゲーム投入
-
三井住友銀行・NEC・OKI、新営業店端末「CUTE」導入でグリーン化を推進
-
LINEのここがイヤ！……「LINE」認知度は98％、便利・不便な点も明らかに
-
【大学受験2014】河合塾、入試難易予想ランキング表
-
ドワンゴ、15歳高校生“鳥居みゆっき”をエンジニア採用……「ニコニコ生放送」を独自改良
