【画像】書き換え回数1億回以上、書き込み電圧6V以下を実証——産総研、強誘電体NANDフラッシュメモリー (1/2)| RBB TODAY

書き換え回数1億回以上、書き込み電圧6V以下を実証——産総研、強誘電体NANDフラッシュメモリー 1枚目の写真・画像

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Fe-NANDフラッシュメモリーのためのFeFET光学顕微鏡写真 ゲート長3µm、ゲート幅50µm
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