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三菱、世界最高効率となるC帯で52％、X帯で43％を実現したGaN HEMT増幅器

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C 帯GaN HEMT 増幅器
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　三菱電機は11日、C帯（4〜8GHz）/X帯（8〜12GHz）で世界最高の電力負荷効率となる52％を達成したGaN HEMT増幅器を発表した。

　今回発表されたGaN HEMT増幅器は、従来、高周波電力を増幅素子に分配する回路に対象なレイアウトの整合回路を用いていたが、新開発の非対称レイアウトの整合回路を利用することで比帯域10%の全周波数において効率を高めることに成功したもの。また、整合回路内のトランジスタに2倍の高調波を効率よく反射させ、効率を改善させる高調波反射回路も開発された。これらの整合回路により、C帯においてGaAsを利用した増幅器の2/3程度にあたる約119Wの消費電力で60W、X帯でも世界最高となる43％の電力負荷効率を実現した。

　同社では、今後は高出力が必要な移動体通信の基地局用増幅器などの通信機器に広く適用していくとしている。
《富永ジュン》
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