米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジー社は現地時間14日、NAND型フラッシュメモリーの製造に利用される、20nm(ナノメートル)プロセス技術を発表した。20nmプロセス技術は、8Gバイト(GB)の多値セル(MLC)NAND型フラッシュメモリを実現する見込みだ。