NEC、半導体設計の高位合成ツール「CyberWorkBench」のFPGA専用版を世界で初めて販売
NECは25日、世界で初めてC言語ベース統合設計環境としてFPGA（Field Programmable Gate Array、書き換え可能LSI）専用版となる、半導体設計の高位合成ツール「CyberWorkBench」の販売を開始した。従来CPUでしか実現できなかった機能が、FPGAで実現可能となる見込み。
エルピーダメモリ、25nm技術によるPC等向けDRAMを出荷……今後はモバイル機器向けも
エルピーダメモリは1日、半導体メモリDDR3 SDRAMの新製品として、25nmプロセス世代となる2ギガビットの「EDJ2104BFSE」（データ幅×4ビット）と「EDJ2108BFSE」（データ幅×4ビット）を発表した。7月末からサンプル出荷を開始している。
【地震】「ルネサス工場再開前倒しは“ものづくり”の強靭さ示す一例」海江田経産相
ルネサスエレクトロニクスは22日、東日本大震災の影響で稼動を停止している那珂工場の再開について、前倒しを発表した。
Gartner、世界の半導体市場シェアを発表……Broadcomが初のトップ10入り
ガートナーは18日、「2010年世界半導体マーケット・シェア（確定値）」を発表した。
東芝、タブレットやポータブル端末向けの24nmプロセスフラッシュメモリ
東芝は6日、メディアプレーヤーやタブレット、ポータブル端末などの組み込み用途として、24nmプロセスのコントローラー搭載NAND型フラッシュメモリ「SmartNAND」の新製品を発表した。4GB～64GBまでの全8製品。
システムトークス、単3乾電池1本で約40日駆動の放射線測定器
システムトークスは、単3乾電池1本で約40日駆動する携帯型の放射線測定器「GC-SJ1」を発表した。販売開始は11日、同社直販価格は68000円。
ハギワラシスコム、民事再生法の適用を申請へ……負債は約100億円
帝国データバンクは31日、大型倒産速報として、ハギワラシスコムが名古屋地裁へ民事再生法の適用を申請したことを報じた（同日付）。報告によれば、負債は約100億円。
【地震】半導体大手のルネサスエレクトロニクス、一部生産を再開
半導体大手メーカーのルネサスエレクトロニクスは22日、東北地方太平洋沖地震および計画停電による同社グループ生産拠点の影響について最新状況を発表。青森県や山形県の工場で一部生産を再開した。
米Intel、アリゾナ州に半導体工場を50億ドルで建設……14nmのトランジスタ量産へ
米インテル（Intel）は18日（現地時間）、50億ドル（約4,000億円）を投資し、米アリゾナ州チャンドラーに最先端の半導体工場を建設する計画を明らかにした。
東芝、半導体製造設備をソニーに譲渡……2008年に東芝がソニーから取得
東芝およびソニーは24日、東芝、ソニー、ソニー・コンピュータエンタテインメント（SCEI）三社の合弁会社である長崎セミコンダクターマニュファクチャリング（NSM）が操業する東芝所有の半導体製造設備を東芝からソニーに譲渡することで合意した。
2010年世界半導体市場の売り上げ、史上初めて3,000億ドルを超える見通し……ガートナー調べ
米ガートナーは現地時間8日、2010年の世界半導体市場の売り上げが、前年比31.5％増の3,003億ドルになるとの見通しを発表した（速報値に基づく）。半導体産業は過去最高の売り上げにより、3,000億ドルを突破する見込み。
富士通セミコンダクター、次世代ネット対応テレビ向け半導体で台湾Skyviia社と戦略提携
富士通セミコンダクターは18日、デジタルテレビ、セットトップボックス、デジタルメディア機器などのホームエンターテインメント領域向け半導体の設計・開発において、台湾Skyviia Corporationと戦略的提携のための契約を締結した。
2009年の半導体マーケット、売上11.4％減の2,260億ドル 〜 シェア1位は18年連続でインテル
米ガートナーは現地時間17日、2009年世界半導体マーケット・シェア（速報値）とともに、2009年の世界半導体市場の売り上げが、前年比11.4％減の2,260億ドルになるとの見通しを発表した。
NECエレとルネサス、事業統合を開始 〜 東芝抜き、世界3位の半導体会社が誕生
NECエレクトロニクスとルネサス テクノロジは27日、事業を統合する方向で協議を開始した。
2009年世界半導体市場は、史上初2年連続で売り上げが減少〜ガートナー予測
米ガートナーは現地時間16日、2009年の世界半導体売上は2,192億ドル、前年比16.3%減となるとする予測を発表した。
米インテル、次世代の32nmプロセス技術開発を完了〜IEDMで詳細を発表予定
米インテルは9日（現地時間）、次世代の製造技術である32nmプロセス技術による半導体チップの開発が完了したと発表した。
日立とオプネクスト、40ギガビット／秒に対応した非冷却半導体レーザを開発
日立製作所とOpnext, Inc.（オプネクスト）は24日、次世代高速光通信規格（40ギガビット／秒）に対応した光送受信機器の光源に用いられる、非冷却型の半導体レーザをあらたに開発したことを発表した。
三菱、990keVまでの加速と発生点径10マイクロメートルのX線の発生が可能な超小型電子加速器
三菱電機は28日、本体外径15cm、重さ10kgの超小型電子加速器「ラップトップ加速器」を発表した。
東芝、32GB容量の組み込み式NAND型フラッシュメモリなど2シリーズ14製品を発表
東芝は7日、携帯電話やビデオカメラなどの携帯機器向けに32GB容量の組み込み式NAND型フラッシュメモリなどを発表した。9月よりサンプル出荷、2008年第4四半期より量産を開始する。
WiMAXサービスエリアの拡大に貢献——三菱電機、InGaP HBT高出力増幅器を発売
三菱電機は8月20日から、WiMAX加入者宅端末向けに、1Wの高出力と低ひずみ特性を実現した、InGaP HBT高出力増幅器「MGFS39E2527」の販売を開始する。サンプル価格は1,000円で月10万個の生産予定。
インテルとマイクロン、業界初40nm以下プロセス技術によるNAND型フラッシュメモリ〜携帯ストレージの大容量化
米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジーは現地時間29日、業界初となる40nm（ナノメートル）以下のプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリとして、多値セル技術を採用した34nmの32Gビット製品を発表した。
東芝、低コストな量産向けMEMSパッケージング技術2種類を開発
東芝は30日、携帯電話などの無線システムなどに向けて開発が進められているMEMS（微細駆動装置）について、ローコストな2種類のパッケージング技術を開発したと発表した。
日立と米IBM、32nm以降の半導体の特性評価に関する基礎研究を共同で実施
日立製作所と米IBMは10日、32ナノメートル以降の半導体の特性評価に関する基礎研究を2年間にわたって共同で行うことで合意した。
三菱、−5度〜90度で動作可能な10/8Gbps SFP＋向けレセプタクル形半導体レーザーモジュール
三菱電機は5日、10Gbps、および8Gbpsの光信号送信用として、SFP＋向けレセプタクル形半導体レーザーモジュール（TOSA）4モデルを発表した。発売日は2月18日。
