東芝は7日、携帯電話やビデオカメラなどの携帯機器向けに32GB容量の組み込み式NAND型フラッシュメモリなどを発表した。9月よりサンプル出荷、2008年第4四半期より量産を開始する。 今回発表された32GB容量の製品は、標準の小型パッケージに43nmプロセスによる32GB NANDチップ8枚のコントローラチップを納めた制御機能付きメモリ。JEDEC/MMCA Ver.4.3やSDA Ver.2.0に準拠したコントローラを内蔵し、書込ブロック管理、エラー訂正、ドライバーソフトウェアといったNAND型フラッシュメモリの制御機能をユーザーが開発する必要がない。 新製品のラインナップは以下の通り。e-MMCはトータルで月産100万個、eSDはトータルで月産50万個が予定されている。○ e-MMC サンプル出荷 量産時期THGBM1G8D8EBAI2(32GB) 2008年10月 2008年4QTHGBM1G7D8EBAI0(16GB) 2008年9月 2008年4QTHGBM1G7D4EBAI2(16GB) 2008年4Q 2008年4QTHGBM1G6D4EBAI4(8GB) 2008年9月 2008年4QTHGBM1G5D2EBAI7(4GB) 2008年10月 2008年4QTHGBM1G4D1EBAI7(2GB) 2008年4Q 2009年1QTHGBM1G3D1EBAI8(1GB) 2008年4Q 2009年1Q○ eSD サンプル出荷 量産時期THGVS4G8D8EBAI2(32GB) 2008年9月 2008年4QTHGVS4G7D8EBAI0(16GB) 2008年9月 2008年4QTHGVS4G7D4EBAI2(16GB) 2008年4Q 2008年4QTHGVS4G6D4EBAI4(8GB) 2008年9月 2008年4QTHGVS4G5D2EBAI4(4GB) 2008年4Q 2008年4QTHGVS4G4D1EBAI4(2GB) 2008年4Q 2009年1QTHGVS4G3D1EBAI8(1GB) 2009年1Q 2009年1Q
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