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NTT、100ビット超の集積型光メモリを世界初実現

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集積光RAMの構成法
  • 集積光RAMの構成法
  • フォトニック結晶による波長多重型光RAM
  • 105本の共鳴線の実現
  • 全105ビットのメモリ動作の実証
　日本電信電話（NTT）は23日、光を強く閉じ込める性質を持つ特殊な人工構造「フォトニック結晶」を用いた“超小型光メモリ”をチップ内に集積することにより、世界で初めて100ビットを超える光ランダムアクセスメモリ（RAM）を実現したことを発表した。

　従来の光メモリはサイズが大きく、多数個を集積することが難しいため、RAMは光化がもっとも難しい考えられていた。NTTでは2012年に4ビットの光RAMを実現しているが、多数個を集積動作させるには至っていなかった。

　今回NTTの研究開発機関「ナノフォトニクスセンター」（神奈川県厚木市）では、“波長多重方式”を採用。動作波長の異なる多数個の光メモリを集積し、入力する光信号波長を選択することによって各メモリビットにランダムに書き込み・読み出しを行うもので、同方式に適した新しい超小型光ナノ共振器構造を開発することによって、世界で初めて100ビットを超える光RAMの集積に成功した。最大で105個の集積光メモリが独立に動作することを確認したとのこと。

　なお、このようなミクロンスケールの光デバイスを100個を超えるレベルで高密度に集積できたのはメモリに限らなくとも初とのことだという。

　今回で得られた成果は、5月25日（英国時間）に英国科学雑誌「ネイチャー・フォトニクス」のオンライン速報版で公開される。
《冨岡晶》

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