富士通研、C帯で世界最高出力320Wの高出力・高効率増幅器を開発〜窒化ガリウムHEMTを採用 1枚目の写真・画像 | RBB TODAY

富士通研、C帯で世界最高出力320Wの高出力・高効率増幅器を開発〜窒化ガリウムHEMTを採用 1枚目の写真・画像

 富士通研究所は21日、窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT:High Electron Mobility Transistor)を用いて、C帯(4GHz〜8GHzの周波数帯)で300ワットを超える出力および効率60%の高出力・高効率増幅器を発表した。

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【左】図1 開発したC帯増幅器  【右】図2 増幅器回路構成
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