富士通研、C帯で世界最高出力320Wの高出力・高効率増幅器を開発〜窒化ガリウムHEMTを採用 1枚目の写真・画像

　富士通研究所は21日、窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT：High Electron Mobility Transistor）を用いて、C帯（4GHz〜8GHzの周波数帯）で300ワットを超える出力および効率60％の高出力・高効率増幅器を発表した。