米Intel、アリゾナ州に半導体工場を50億ドルで建設……14nmのトランジスタ量産へ
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新工場は、線幅が14ナノメートルの最先端トランジスタ、300ミリメートルのウェハーの量産を目的とし、今年中旬に着工予定。完成は2013年を予定している。
同社によれば、現在同社のマイクロプロセッサーの4分の3が国内生産によるものであるといい（売上の4分の3は国外）、国内での量産体制をさらに強化していくとしている。
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