東芝、モバイル機器向けに大容量128GBのNAND型フラッシュメモリを製品化 | RBB TODAY
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東芝、モバイル機器向けに大容量128GBのNAND型フラッシュメモリを製品化

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今回発表された128GBの組込み式NAND型フラッシュメモリ
  • 今回発表された128GBの組込み式NAND型フラッシュメモリ
  • 昨年12月に発表された64GBの組込み式NAND型フラッシュメモリ
  • NAND型フラッシュメモリの用途イメージ
  • 同社のメモリ製品のラインアップ
 東芝は17日、組込み式として業界最大容量をうたう128GBのNAND型フラッシュメモリ「THGBM2T0DBFBAIF」を製品化したと発表。9月から順次サンプル出荷を開始し、10~12月期(第4四半期)から量産し始めるという。

 同社では2009年12月に、32nmのプロセス技術を用いた64GBの組込み式NAND型フラッシュメモリの製品化を発表していた。今回はこの64GBのNAND型フラッシュメモリを採用すると同時に、厚さ30マイクロメートルのチップ薄厚化技術やチップ多段積層技術を駆使。64GBチップ16枚とコントローラチップ1枚の計17枚を、17×22×1.4mmの小型パッケージに封止した。これにより、組込み式のNAND型フラッシュメモリでは業界最大容量128GBの製品化に成功したという。

 また、インターフェースは「JEDEC e・MMC Ver. 4.4」規格に準拠しており、NAND型フラッシュメモリの制御機能(書込みブロック管理/エラー訂正/ドライバーソフトウェアなど)をユーザーが開発する手間を省いた。そのため、ユーザー側の開発負荷の軽減や、開発期間の短縮にもつながるという。

 NAND型フラッシュメモリは、SSDやUSBフラッシュメモリ、メモリカードなどの記憶装置として使用されており、今回の製品はスマートフォンやデジタルビデオカメラなどのモバイル機器向けに開発。128GBに大容量化としたことで、ビットレートが約17Mbpsのハイビジョン画質で16.6時間、同約7Mbpsのスタンダード画質で38.4時間、同約416Kbpsのワンセグでは645時間の映像データの記録を可能とした。

 なお、今回は同時に64GB「THGBM2G9D8FBAIF」も発表。8月から順次サンプル出荷を開始し、10~12月期(第4四半期)から量産化するとのこと。

 両製品共通でおもな仕様として、電源電圧は、メモリコアが2.7~3.6V、インターフェースが1.65V~1.95V/2.7V~3.6V。バス幅はx1/x4/x8。書込み速度は、シーケンシャル/SDRモードとシーケンシャル/DDRモードがともに21MB/秒。読出し速度は、シーケンシャル/SDRモードが46MB/秒、シーケンシャル/DDRモードが55MB/秒。
《加藤》
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