米インテル、次世代の32nmプロセス技術開発を完了〜IEDMで詳細を発表予定

エンタープライズその他

2008年12月10日（水） 21時14分

　米インテル（Intel）は9日（現地時間）、次世代の製造技術である32nm（ナノメートル）プロセス技術による半導体チップの開発が完了したと発表した。

　32nm （ナノメートル＝メートルの10億分の1に相当）プロセス技術は、より優れたトランジスタの電力効率、集積度そして性能向上を提供するもので、2009年第4四半期の量産に向けて開発が進んでいた。インテルは15日〜17日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される国際電子デバイス会議（IEDM）にて、32nmプロセス技術に関する技術的詳細や関連技術の発表を行う予定となっている。

　インテルの32nmプロセス技術に関する研究論文および発表は、第2世代High-k/メタルゲート技術と、クリティカル層のパターン露光に用いる幅193nmの液浸リソグラフィ、そして強化されたストレインド・トランジスタなどを組み合わせたロジック技術について記述されているとのこと。またインテルはその他の研究論文で、インテルの45nmプロセス技術に基づく製品の省電力システム版の製品開発、化合物半導体トランジスタ、45nmトランジスタの性能向上への基板技術、45nmノード以降の化学機械研磨の統合、そして複数のシリコン・フォトニクス変調器の統合について発表する予定になっている。

　インテル上席フェロー兼プロセス開発ディレクターのマーク・ボーア氏は「我々の優れた製造技術と製品により、インテル製品搭載のサーバ、デスクトップPCおよびノートブックPCはコンピューティング性能と電力効率において、業界におけるリーダーシップを拡大してきました。また我々は今年度、製造技術における戦略と実行によりモバイル・インターネット端末（MID）、デジタル家電、組込みシステム、そしてネットブック向けなど、これまでにないまったく新しい製品を開発することができました」とのコメントを寄せている。

《冨岡晶》