日本電気とNECエレクトロニクスは15日、SRAMセルなどの超微細LSI回路特性の安定性を量産前に高精度に見積もれるシミュレーション技術を開発したと発表した。 同技術は、原子レベル製造プロセス・デバイス動作シミュレーションにより、単体トランジスタの統計的なデバイス特性ゆらぎを正確に算出し、この個々のトランジスタ特性を回路シミュレーション用のトランジスタモデルに精密かつ高速に写し取ることでより現実に近い物理回路シミュレーションが実行できるというもの。 従来は、どのようなトランジスタ構造をどのような製造工程で製造した場合にどの程度のばらつきが発生するかを高精度に予想することは困難で、前世代からの推定値を用いる以外に方法はないとされていたが、今回開発された技術により素子構造設計段階、および回路設計段階でトランジスタ特性のばらつきを詳細に把握してマージンを高度に最適化できる。
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