富士通研究所とドイツのハインリッヒ・ヘルツ研究所(HHI)は7日、非線形光ファイバーを用いた超高速光スイッチにより、光伝送の際に光信号の品質劣化の原因となる光雑音を低減する技術を発表した。
富士通研究所、次世代FeRAM用新メモリ材料を開発〜1,000億回の書き換えを実現
2008年3月28日(金) 16時42分
今回開発した新材料のリーク特性
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富士通と富士通研究所は15日、ペタフロップス級スーパーコンピュータシステムで必要とされる高速計算ノード相互接続用の超小型光リンクモジュール技術を発表した。
富士通は7日、富士通研究所と共同でモバイルWiMAX端末向けRF(高周波処理)モジュール「MB86K71」を開発したことを発表した。2月末よりサンプル出荷を開始する。
富士通研究所は4日に、90ナノメートル(nm)世代の標準CMOS技術を用いたミリ波帯高出力増幅器を開発したことを発表した。
富士通研究所は14日、次世代不揮発性メモリのひとつ、ReRAM(抵抗メモリ)の低消費電力化と抵抗値のばらつきを低減することに成功したと発表した。
富士通研究所と富士通は12日に、32ナノメートル(以下、nm)世代以降のロジックLSI向け技術として、マンガンを添加した銅配線と、超薄膜のバリアメタルを用いることにより、信頼性の高い多層配線を実現す...
富士通は12月1日より、マルチメディア情報向け車載ネットワークの国際規格IDB-1394に準拠したコントローラーLSI「MB88388A」および「MB88389」の2製品のサンプル出荷を開始する。
富士通は28日、ドコモおよび富士通研究所と共同で試作機開発を進めていた「Super 3G無線基地局装置」において、無線高速大容量通信の基幹技術である「MIMO」の適用により、下り900Mbpsの伝送...
富士通と富士通研究所は12日、周囲の物体の形や動きを3次元でリアルタイムに認識する処理を行う独自アーキテクチャのLSIを開発した。
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