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富士通研究所と東京工業大学は28日に、次世代FeRAM（エフイーラム）（注3）向けの新しいメモリ材料を開発したことを発表したビスマスフェライト（BFO）の成分の一部を置き換えたものを用いることで、1,000億回の繰り返し書き換えおよびリーク電流の低減に成功したとのこと。
180nm世代テクノロジーのFeRAMのメモリ材料として、従来はチタン酸ジルコン酸鉛（PZT）が用いられているが、微細化を進めると電荷量が得られなくなってしまい、130nm世代テクノロジーへの適用までが限界と言われていた。この新材料は、PZTより大きな電荷量を蓄えられる強誘電体であるため、180ナノメートル（nm）世代の製品で採用されているものと同じ構造のままで、90nm世代以降のFeRAMに適用することが可能で、大容量FeRAMの実用化を可能にするとのこと。
今回、ビスマス成分の一部をサマリウムで置き換えることで、書き換えによる劣化を抑える技術と、鉄成分の約半分をクロムに置き換えたゾルゲル溶液を用いて、BFOを結晶化し、リーク電流を低減する技術との「ゾルゲル法」と呼ばれる技術が2種類開発され、書き換えによる劣化、リーク電流を大幅に低減させることが可能となった。
なお本技術について東京工業大学は、文部科学省 科学技術振興調整費を受けているとのこと。
富士通研究所、次世代FeRAM用新メモリ材料を開発〜1,000億回の書き換えを実現
2008年3月28日(金) 16時42分
今回開発した新材料のリーク特性
《冨岡晶》
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