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東芝、世界最高速833MHzの混載DRAM技術を開発〜画像処理LSIの高速化に期待 3枚目の写真・画像
東芝は6日、LSIの混載DRAMの新技術として、32Mbの実用的容量で世界最高速833MHzを実現する回路を開発したことを発表した。
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東芝は6日、LSIの混載DRAMの新技術として、32Mbの実用的容量で世界最高速833MHzを実現する回路を開発したことを発表した。