産総研、SRAMの新回路構成を考案〜従来比1.5倍の動作安定、22nm世代メモリの問題解決にメド 2枚目の写真・画像

　産業技術総合研究所は18日、エレクトロニクス研究部門 先端シリコンデバイスグループの大内 真一 研究員、昌原 明植 主任研究員らが、システムLSIの面積の50％以上を占めるSRAMの動作安定性を、従来技術の1.5倍に高める高性能な新回路を考案したことを発表した。