FET(電界効果トランジスタ)を用いた半導体スイッチのため、消費電力はほぼゼロで信号をオン・オフすることが可能となっているほか、アナログスイッチとして入力された信号をほぼそのままの形態で出力するため、あらゆる信号プロトコルやフォーマットで利用することができ、無線信号も扱い可能となっている。またInP-HEMT(Indium Phosphide High Electron Mobility Transistor)デバイスを用いたことで、従来のシリコンやガリウム砒素を材料に作られたスイッチと比較して、2倍以上の広帯域化および接続端子数の増加が可能だという。