東芝は7日、43nmプロセスを利用し、ワンチップで16ギガビット（2ギガバイト）の大容量を実現したNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。製品サンプルの出荷を即日開始し、3月から四日市工場での量産を開始する。 43nmプロセスでは、高電圧印加時の誤書込みを防ぐためにメモリセルの両端にダミーワード線を設ける必要があるが、今回発表されたNAND型フラッシュメモリでは並列メモリセル数を従来の32セルの2倍にし、さらに両端にダミーワード線を加えた66セルとしたもの。これにより、メモリセルの両側にあるセレクトゲートの数を削減し、面積効率を向上させている。また、周辺回路に高電圧スイッチを入れることで、コントロールゲートドライバを共有化し、電源用配線をセルアレイ上に通すなどの設計の見直しを行うことにより、56nm世代の同容量製品と比較して約30%チップ面積が少ない、約120平方ミリメートルを実現した。 今後は2008年第3四半期の早期に32ギガビット品の量産を開始する予定だ。
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