米インテルは27日(現地時間)、新しい素材を使った45nmプロセスの試作品を明らかにするとともに、今年後半から同プロセルルールを採用した製品の量産を開始すると発表した。漏れ電流を削減し、パフォーマンスをアップするためハフニウムベースの絶縁膜High-kとメタルゲート電極の組み合わせで実現したもの。発表によると、パフォーマンスを20％アップし、ソース・ドレインの漏れ電流を5倍削減、密度は2倍にすることが可能だという。同社は従来から2007年には45nmの製造プロセスを実現すると話しており、2005年7月には同プロセス製造のため30億ドルの工費をかけて米国アリゾナ州チャンドラーに、半導体量産製造施設を新設する計画を発表していた。コードネーム“Penryn”ファミリーはこの45nmのプロセスで製造される。
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