
エンタープライズ
東芝、32nm世代以降のLSI向けに導入する高性能化技術を開発〜メタルゲートなど主要課題に目処
東芝は12日に、32ナノメートル(以下、nm)世代以降の高性能LSI以降に必須とされる3種類の主要技術について、実用水準の性能や加工効率を達成する新構造・新技術を開発したと発表した。今後も、2010年度前半の量産開始を目指して開発を継続する。

エンタープライズ
富士通研究所、32nm世代以降のロジックLSI向けの高信頼性多層配線技術を開発
富士通研究所と富士通は12日に、32ナノメートル(以下、nm)世代以降のロジックLSI向け技術として、マンガンを添加した銅配線と、超薄膜のバリアメタルを用いることにより、信頼性の高い多層配線を実現する技術を開発したことを発表した。