富士通研究所は14日、次世代不揮発性メモリのひとつ、ReRAM(抵抗メモリ)の低消費電力化と抵抗値のばらつきを低減することに成功したと発表した。
富士通研究所と富士通は12日に、32ナノメートル(以下、nm)世代以降のロジックLSI向け技術として、マンガンを添加した銅配線と、超薄膜のバリアメタルを用いることにより、信頼性の高い多層配線を実現する技術を開発したことを発表した。